芯片失效分析

        失效分析属于芯片反向工程开发范畴。聚芯芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。公司专门设立有集成电路失效分析实验室，配备了国外先进的等离子蚀刻机（RIE）、光学显微镜、电子显微镜（SEM）和聚焦离子束机（FIB）等设备，满足各项失效分析服务的要求。
公司拥有一套完善的失效分析流程及多种分析手段，全方位保证工程质量及项目文件的准确无误。

   失效分析流程：
    1、外观检查，识别crack，burnt mark等问题，拍照。
    2、非破坏性分析：主要用xray查看内部结构，csam—查看是否存在delamination
    3、进行电测。
    4、进行破坏性分析：即机械机械decap或化学decap等

   常用分析手段：
    1、X-Ray 无损侦测，可用于检测
    * IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性
    * PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接
    * 开路、短路或不正常连接的缺陷
    * 封装中的锡球完整性
    2、SAT超声波探伤仪/扫描超声波显微镜
    可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如﹕
    晶元面脱层
    锡球、晶元或填胶中的裂缝
    封装材料内部的气孔
    各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞
    3、SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪
可用于材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸
    4、三种常用漏电流路径分析手段：EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测
EMMI微光显微镜用于侦测ESD, Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的异常。
    OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析.利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等；也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。
    LC可侦测因ESD,EOS应力破坏导致芯片失效的具体位置。
    5、Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试，可用来直接观测IC内部信号
    6、ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试
    7、FIB做电路修改
    FIB聚焦离子束可直接对金属线做切断、连接或跳线处理. 相对于再次流片验证, 先用FIB工具来验证线路设计的修改, 在时效和成本上具有非常明显的优势.
    此外，公司技术团队还积累了诸如原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF － SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统，能量损失 X 光微区分析系统等多种复杂分析手段。